中科院突破高效LED芯片及材料关键技术

中科院突破高效LED芯片及材料关键技术

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在“十一五”国家863计划新材料领域项家电行业竞争日益剧烈目的支持下，由中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队项目课题，通过技术辐射和转移、人才培养以及国际交流合作等方式，实现了先进技术的引进、消化、吸收、再创新，从而提高了我国半导体照明产业的国际竞争能力，推动了我国半导体照明工程的实施。该课题近日顺利通过验收。

“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队，在人才培养和团队建设等方面做出了积极的探索，通过加强科技创新团队管理，引进了数名国测试终了自动求算最大气力、上、下屈服强度、 滞后环法、逐渐逼近法、非比例延伸强度、抗拉强度、抗压强度、任意点定伸长强度、 任意点定负荷延伸、弹性模量、延伸率、剥离区间最大值、最小值、平均值、曲折模量等等家“千人计划”、中国科学院“百人计划”及“国家杰出青年”获得者，培养了数十名年轻人才，形成了百余人的学科交叉、具有前沿探索能力和工程化、产业化背景的高水平半导体照明人才队伍。

针对我国节能减排的重大需求，“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”创新团队建成了从半导体照明重大装备、材料外延、芯片开发到高效大功率封装及测试分析的完整柔性半导体照明工艺平台，具有灵活的研发能力与工程化示范能力。

该创新团队还形成了一系列具有自主知识产权的重要研究成果，并制定了相关技术标准。在国内率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的LED高效发光；成功制备了国内首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED器件，并实现了器件功率的毫瓦级输出；研制开发了国内首台48片MOCVD样机，经第三方检测，设备外延的氮化镓良好的尺寸精度材料，各项性能指标达到了同类国际MOCVD设备的水平。